近日，上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院電子工程系毛軍發(fā)院士、周亮教授課題組發(fā)表低損耗異構(gòu)異構(gòu)集成W波段毫米波雷達系統(tǒng)研究成果。它旨在發(fā)布集成電路設(shè)計領(lǐng)域的最新技術(shù)發(fā)展和文獻成果，代表當(dāng)前行業(yè)的最高技術(shù)水平。

創(chuàng)新成果

異構(gòu)和異構(gòu)集成毫米波雷達采用自主研發(fā)的硅基MEMS光敏復(fù)合膜多層布線工藝，將硅基鎖相環(huán)芯片、SiGe收發(fā)器芯片、GaN功率放大芯片、封裝天線、電容器和其他無源元件。雷達探測距離大于800米，最高分辨率優(yōu)于0.08米，重量僅78克。綜合性能指標(biāo)世界領(lǐng)先。

這一成果突破了多芯片的精確定位和層電介質(zhì)中微圖案制備等關(guān)鍵技術(shù)，大大縮短了芯片之間以及芯片與無源器件之間的互連長度，降低了互連損耗，攻克了化合物半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)和硅基半導(dǎo)體器件后向工藝兼容性不足的問題，同時很好地處理了布線之間的串?dāng)_和芯片之間的電磁兼容性。

目前摩爾定律面臨著物理、技術(shù)和成本限制的多重挑戰(zhàn)。集成電路在努力沿著摩爾定律預(yù)測的尺寸減小的道路發(fā)展的同時，它們迫切需要開辟新的方向，繞過摩爾定律繼續(xù)發(fā)展。三維異質(zhì)集成可以突破單個半導(dǎo)體工藝電路的性能和功能極限，實現(xiàn)集成電路從硅或化合物半導(dǎo)體單同質(zhì)工藝集成到異質(zhì)集成，從平面集成到三維集成，是后摩爾時代集成電路的發(fā)展 我國集成電路的主流方向也是我國集成電路發(fā)展的突破和歷史機遇。這一成果所開發(fā)的工藝和設(shè)計技術(shù)必將推動異構(gòu)技術(shù)的快速發(fā)展。

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